2018年研究発表一覧


研究論文(学術誌に掲載されたもの)

Shin-ichi Kan, Shu Takemoto, Kentaro Kaneko, Isao Takahashi1, Masahiro Sugimoto1, Takashi Shinohe1, and Shizuo Fujita
(1FLOSFIA inc.)
``Electrical properties of α-Ir2O3/α-Ga2O3 pn heterojunction diode and band alignment of the heterostructure"
Applied Physics Letters, Vol.113, No.21, 212104 (5 pages), Nov. 2018.

Kentaro Kaneko, Masafumi Ono, Takashi Tanaka1, Takayuki Uchida, and Shizuo Fujita
(1Eyetec Co., Ltd.)
``Tin oxide coating by nonvacuum-based mist chemical vapor deposition on stainless steel separators for polymer electrolyte fuel cells"
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.11, 117103 (6 pages), Nov. 2018.

Takayoshi Onuma1, Mizuki Ono1, Kyohei Ishii, Kentaro Kaneko, Tomohiro Yamaguchi1, Shizuo Fujita, and Tohru Honda1
(1Kogakuin University)
``Impact of local arrangement of Mg and Zn atoms in rocksalt-structured MgxZn1-xO alloys on bandgap and deep UV cathodoluminescence peak energies"
Applied Physics Letters, Vol. 113, Iss. 6, 061903 (5 pages), Aug. 2018.

Kentaro Kaneko, Keiichi Tsumura, Kyohei Ishii, Takayoshi Onuma1, Tohru Honda1, and Shizuo Fujita
(1Kogakuin University)
``Deep-ultraviolet luminescence of rocksalt-structured MgxZn1-xO (x>0.5) films on MgO substrates"
Journal of Electronic Materials, Vol. 47, No. 8, pp.4356-4360, Aug. 2018.

Takayuki Uchida, Riena Jinno, Shu Takemoto, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Evaluation of band alignment of α-Ga2O3/α-(AlxGa1-x)2O3 heterostructures by x-ray photoelectron spectroscopy"
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.4, 040314 (3 pages), Apr. 2018.

Riena Jinno, Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Control of crystal structure of Ga2O3 on sapphire substrates by introduction of α-(AlxGa1-x)2O3 buffer layer"
Physica Status Solidi (b), Vol.255, No.4, 1700326 (5 pages), Apr. 2018.

Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Electrical characterization of Si-doped n-type α-Ga2O3 on sapphire substrates"
MRS Advances, Vol.3, No.3, pp.171-177, Mar. 2018.

Kentaro Kaneko, Shizuo Fujita, and Toshimi Hitora1
(1FLOSFIA Inc.)
``A power device material of corundum-structured α-Ga2O3 fabricated by MIST EPITAXY(R) technique"
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.2, 02CB18 (5 pages), Feb. 2018.


研究論文(プロシーディングス等に掲載されたもの)


解説


国際会議等発表

Shizuo Fujita, Riena Jinno, Nobuhiro Yoshimura, and Kentaro Kaneko
`Defect control of α-Ga2O3 on sapphire substrates grown by mist CVD (invited)"
2018 Materials Research Society Spring Meeting, Phoenix, USA (Apr. 2-6, 2018) #EP04.10.01 [oral, Apr. 5].

Kentaro Kaneko, Takashi Shinohe1, and Shizuo Fujita
(1FLOSFIA Inc.)
``Power Device Applications of Ga2O3 (invited)"
2018 International Conference on Electronics Packaging and IMAPS All Asia Conference (ICEP-IAAC2018), Kuwana Mie, Japan (Apr. 17-21, 2018) #FC3-1 [oral, Apr. 20].

Kentaro Kaneko, Shu Takemoto, Shin-ichi Kan, Takashi Shinohe1, and Shizuo Fujita
``Novel p-type oxides of corundum-structured α-(Rh,Ga)2O3 and α-Ir2O3
Compound Semiconductor Week 2018 (45th International Symposium on Compound Semiconductors / 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials), Boston, USA (May 29-June 1, 2018) #Th2D6 [oral, May 31].

Riena Jinno, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Phase transition temperatures of α-Ga2O3 on sapphire substrate"
Compound Semiconductor Week 2018 (45th International Symposium on Compound Semiconductors / 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials), Boston, USA (May 29-June 1, 2018) #Fr1PP-Ga [poster, June 1].

Shizuo Fujita
``Evolution of growth technologies for gallium oxide power devices (invited)"
19th Int. Conf. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Nara, Japan (June 3-8, 2018) #5C-2.1 [oral, June 2].

Shizuo Fujita
``Recent evolution and future prospects of gallium oxide materials and devices (tutorial)"
2018 Int. Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2018), Kyoto, Japan (June 21-22, 2018) [oral (in Japanese), June 21].

Kyohei Ishii, Mizuki Ono1, Takeyoshi Onuma1, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
(1Kogakuin University)
``Growth of rocksalt-structured MgZnO thin films and their optical properties"
60th Electronic Materials Conference, Santa Barbara, USA (June 27-29, 2018) #FF03 [oral, June 28].

Shizuo Fujita
``Evolution and prospects of gallium oxide-based materials and power devices (invited)"
2018 Int. Conf. Solid State Devices and Materials, Tokyo, Japan (Sept. 9-13, 2018) #D-4-01 [oral, Sept. 12].

Takeyoshi Onuma1, Mizuki Ono1, Kyohei Ishii, Kentaro Kaneko, Tomohiro Yamaguchi1, Shizuo Fujita, and Tohru Honda1
(1 Kogakuin Univ.)
``Bandgap fluctuation in rocksalt-structured MgxZn1-xO alloys"
10th Int. Workshop Zinc Oxide and Other Oxide Semiconductors, Warsaw, Poland (Sept. 11-14, 2018) #ThO_9.2 [oral, Sept. 13].

Shin-ichi Kan, Shu Takemoto, Kentaro Kaneko, Takashi Shinohe1, and Shizuo Fujita
(1FLOSFIA)
``Study on corundum-structured p-type α-Ir2O3 thin films and band alignment at Ir2O3/Ga2O3 hetero-junction"
IEEE CPMT (Components, Packaging, and Manufacturing Technology) Symposium Japan, Kyoto, Japan (Nov. 19-21, 2018) #61 [oral, Nov. 20].

Riena Jinno, Nobuhiro Yoshimura, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 on sapphire substrates"
2018 Materials Research Society Fall Meeting, Boston, USA (Nov. 25-30, 2018) #EP08.04.02 [oral, Nov. 27].

Kyohei Ishii, Mizuki Ono1,Takeyoshi Onuma1, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
(1Kogakuin University)
``Fabrication of rocksalt-structured MgZnO/MgO layered structures and their DUV light emission properties"
2018 Materials Research Society Fall Meeting, Boston, USA (Nov. 25-30, 2018) #EP08.10.16 [poster, Nov. 29].

Kentaro Kaneko, Shinichi Kan, Shu Takemoto,Isao Takahashi1, Masahiro Sugimoto1, Takashi Shinohe1, and Shizuo Fujita
(1FLOSFIA Inc.)
``Novel p-type oxide semiconductors of α-Ir2O3 in gallium oxide electronics"
2018 Materials Research Society Fall Meeting, Boston, USA (Nov. 25-30, 2018) #EP08.10.17 [poster, Nov. 29].


その他

石井恭平, 小 瑞生1, 内田貴之, 神野莉衣奈, 尾沼猛儀1, 金子健太郎, 藤田静雄
``岩塩構造MgZnO薄膜の成長と光物性"
2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学 (2018年3月17日-20日) 18p-E201-4.

内田貴之, 金子健太郎, 藤田静雄
``O3キャリアガスを用いたミストCVD法によるα-Ga2O3薄膜の作製"
2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学 (2018年3月17日-20日) 19p-P11-8.

増田泰久, 内田貴之, 金子健太郎, 藤田静雄
``r, m面sapphire基板上コランダム構造α-(AlxGa1-x)2O3薄膜の成長"
2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学 (2018年3月17日-20日) 19p-P11-9.

尾沼猛儀1, 小野瑞生1, 石井恭平, 金子健太郎, 山口智広1, 藤田静雄, 本田徹1
(1工学院大学)
``岩塩構造MgxZn1-xOの吸収端の観測と電子状態計算"
2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学 (2018年3月17日-20日) 20a-F210-5.

小野瑞生1, 石井恭平, 金子健太郎, 山口智広1, 本田徹1, 藤田静雄, 尾沼猛儀1
(1工学院大学)
``岩塩構造MgxZn1-xOにおける深紫外線カソードルミネセンスの温度および励起密度依存性"
2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学 (2018年3月17日-20日) 20a-F210-6

大島祐一1, 河原克明2, 神野莉衣奈, 四戸孝2, 人羅俊実2, 嘉数誠3, 藤田静雄
(1物材機構, 2FLOSFIA, 3佐賀大院工)
``HVPEによるα-Ga2O3の選択横方向成長"
2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学 (2018年3月17日-20日) 20p-E201-4.

神野莉衣奈, 吉村暢浩, 金子健太郎, 藤田静雄
``ミストCVD 法によりGaCl3原料を用いて成長したα-Ga2O3の成長反応機構"
2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学 (2018年3月17日-20日) 20p-E201-5.

吉村暢浩, 神野莉衣奈, 金子健太郎, 藤田静雄
``Mist-CVD法によるsapphire基板上α-Ga2O3の横方向選択成長"
2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学 (2018年3月17日-20日) 20p-E201-6.

韓欣一, 竹本柊, 金子健太郎, 四戸孝1, 藤田静雄
(1FLOSFIA)
``α-Ir2O3/α-Ga2O3のXPS評価"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成30年度第1回研究会, 奈良先端科学技術大学 (2018年7月21日)(7)

韓欣一, 竹本柊, 金子健太郎, 四戸孝1, 藤田静雄
(1FLOSFIA)
``α-Ir2O3/α-Ga2O3ヘテロpn接合のバンドアライメント評価"
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場 (2018年9月18日-21日) 19p-PB8-12.

石井恭平, 小野瑞生1, 尾沼猛儀1, 金子健太郎, 藤田静雄
(1工学院大学)
``岩塩構造MgZnO/MgO積層構造の作製と深紫外発光"
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場 (2018年9月18日-21日) 20a-234A-10.

増田泰久, 金子健太郎, 大島祐一1, 四戸孝2, 藤田静雄
(1物材機構, 2FLOSFIA)
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場 (2018年9月18日-21日) 19a-224A-5.

金子健太郎, 竹本柊, 韓欣一, 高橋勲1, 杉本雅裕1, 四戸孝1, 藤田静雄
(1FLOSFIA)
``p型α-Ir2O3/n型α-Ga2O3の整流特性"
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場 (2018年9月18日-21日) 21p-331-4.

上田真理子1, 佐藤翔太1, ダンジャン1, 川原村敏幸1, 藤田静雄, 織田容征2, 平松孝浩2
(1高知工科大, 2東芝三菱電機産業システム)
``ミストCVD法で作製されたATO薄膜の電気的および光学的特性"
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場 (2018年9月18日-21日) 20a-234A-3.

Kyohei Ishii, Mizuki Ono1, Takeyoshi Onuma1, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
(1Kogakuin University)
``Fabrication of rocksalt-MgZnO/MgO layered structure and the characteristic of DUV light emission"
37th Electronic Materials Symposium, Nagahama (2018年10月10日-12日) We2-16.

増田 泰久, 金子 健太郎, 大島 祐一1, 四戸 孝2, 藤田 静雄
(1物材機構, 2FLOSFIA)
``金ナノ粒子上コランダム構造酸化ガリウム薄膜の作製とTEMによる構造評価"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成30年度第2回研究会, 京都大学(2018年11月24日)(5).

金子 健太郎, 小野 雅史, 田中 孝1, 内田 貴之, 藤田 静雄
(1アイテック株式会社)
``固体高分子形燃料電池(PEFC)用金属セパレータ応用をめざしたSnO2薄膜の作製"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成30年度第2回研究会, 京都大学(2018年11月24日)(6).