2017年研究発表一覧


研究論文(学術誌に掲載されたもの)

Kentaro Kaneko, Masaya Kitajima, and Shizuo Fujita
``Corundum-structured α-In2O3 as a wide-bandgap semiconductor for electrical devices"
MRS Advances, Vol.2, Iss.5, pp.301-307, Jan. 2017.

Takayoshi Oshima1. Yuji Kato1, Naoto Kawano1, Akito Kuramata2,3, Shigenobu Yamakoshi2,3, Shizuo Fujita, Toshiyuki Oishi1, and Makoto Kasu1
(1Saga University, 2Tamura Co., 3Novel Crystal Technology, Inc.)
``Carrier confinement observed at modulation-doped β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 heterojunction interface"
Applied Physics Express, Vol.10, No.3, 035701 (3 pages), Mar. 2017.


研究論文(プロシーディングス等に掲載されたもの)


解説

藤田静雄
``非真空下における高機能薄膜形成技術:ミストデポジション-霧の力で安全・低コスト・高度の制御を実現する-"
FCレポート (日本ファインセラミックス協会), 第35巻, 第2号, 58-62頁, Apr. 20178.


国際会議等発表

Shizuo Fujita
`Corundum-structured n-type and p-type wide band gap oxide semiconductors (invited)"
Workshop on Frontier Photonic and Electronic?Materials and Devices: 2017 German-Japanese-Spanish Joint Workshop, Mallorca, Spain (Mar. 5-8, 2017) #Tu-7 [oral, Mar. 7].

Riena Jinno, Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Control of Ga2O3 crystal structure on sapphire substrates by introducing α-(AlxGa1-x)2O33 buffer layers"
Compound Semiconductor Week 2017 (44th International Symposium on Compound Semiconductors / 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials), Berlin, Germany (May 14-18, 2017) #A2.3 [oral, May 16].

Takayuki Uchida, Riena Jinno, Shu Takemoto, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Electrical properties of Si doped corundum structure Ga2O3 on sapphire substrate"
Compound Semiconductor Week 2017 (44th International Symposium on Compound Semiconductors / 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials), Berlin, Germany (May 14-18, 2017) #A2.4 [oral, May 16].

Shizuo Fujita
``Oxide semiconductors by green growth technology for green innovation (invited)"
Compound Semiconductor Week 2017 (44th International Symposium on Compound Semiconductors / 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials), Berlin, Germany (May 14-18, 2017) #A2.6 [oral, May 16].

Riena Jinno, Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Fabrication of α-Ga2O33 using carbon-free precursor by the mist CVD method"
Compound Semiconductor Week 2017 (44th International Symposium on Compound Semiconductors / 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials), Berlin, Germany (May 14-18, 2017) #P2.58 [poster, May 16].


その他

藤田静雄
``超ワイドギャップ酸化物半導体の成長と機能"
応用物理学会関西支部セミナー, 大阪市立大学 (2017年1月7日).

藤田静雄
``コランダム構造α-Ga2O3をベースとする混晶半導体系"
日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第98回研究会, 長浜ロイヤルホテル, (2017年1月12-13日). 

神野莉衣奈, 内田貴之, 金子健太郎, 藤田静雄
``sapphire 基板上Ga2O3の構造制御"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成28年度第1回講演会・見学会, 鳥取大学(2017年1月28日) P16.

竹本柊, 内田貴之, 神野莉衣奈, 金子健太郎, 藤田静雄
``「溶液雰囲気を制御したミスト CVD 法によるα-Ga2O3薄膜の作製"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成28年度第1回講演会・見学会, 鳥取大学(2017年1月28日) P17.

内田貴之, 神野莉衣奈, 竹本柊, 金子健太郎, 藤田静雄
``Siドープコランダム構造(AlxGa1-x)2O3の作製"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成28年度第1回講演会・見学会, 鳥取大学(2017年1月28日) P18.

金子健太郎, 韓欣一, 人羅俊実, 藤田静雄
``コランダム構造p型酸化物半導体の成長と物性" 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成28年度第1回講演会・見学会, 鳥取大学(2017年1月28日) P20.

藤田静雄, 人羅俊実, 金子健太郎
``次世代パワーデバイス半導体の基礎となる新規コランダム構造酸化物混晶の学術的開拓とその産業展開"
応用物理学会関西支部平成28年度第3回講演会, 大阪大学中の島センター, (2017年2月24日).

内田貴之, 神野莉衣奈, 竹本柊, 金子健太郎, 藤田静雄
``デバイス化に向けたSiドープα-Ga2O3薄膜の作製 (講演奨励賞受賞記念講演)"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14a-502-1.

神野莉衣奈, 内田貴之, 金子健太郎, 藤田静雄
``α-(AlxGa1-x)2O3バッファ層によるGa2O3の構造制御"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14a-502-9.

加藤勇次1, 大島孝仁1、河野直士1, 倉又朗人2,3, 山腰茂伸2,3, 藤田静雄, 大石敏之1, 嘉数誠1
(1佐賀大学, 2タムラ製作所, 3ノベルクリスタルテクノロジー)"
``β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3ヘテロ接合界面における キャリア閉じ込めの観察"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14a-502-6.

小野雅史, 金子健太郎, 藤田静雄
``燃料電池金属セパレータ応用を目指したSUS上熱酸化膜に関する研究"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14p-419-15.

金子健太郎, 韓欣一, 人羅俊実, 藤田静雄
``p型伝導を示す9番目のコランダム構造酸化物α-Ir2O3の結晶成長とその電気特性"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14a-P8-19.

韓欣一, 金子健太郎, 人羅俊実, 藤田静雄
``α-Ir2O3/α-Ga2O3積層構造の作製"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14a-P8-20.

加藤勇次1, 大島孝仁1、河野直士1, 倉又朗人2,3, 山腰茂伸2,3, 藤田静雄, 大石敏之1, 嘉数誠1
(1佐賀大学, 2タムラ製作所, 3ノベルクリスタルテクノロジー)"
``β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3ヘテロ接合界面における キャリア閉じ込めの観察"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14a-502-6.