2017年研究発表一覧


研究論文(学術誌に掲載されたもの)

小笠原正弘1, 平尾孝, 藤田静雄
(1ミニョンベルクリニック)
``発光ダイオードの医学応用:睡眠に与える効果について "
材料, 第66巻, 第9号, 634-638頁, Sept. 2017.

金子健太郎, 高木良輔, 田中孝1, 人羅俊実2, 藤田静雄
(1アイテック(株), 2(株)FLOSFIA)
``高導電性・高耐食性酸化膜で被覆された燃料電池金属セパレータ"
材料, 第66巻, 第9号, 639-643頁, Sept. 2017.

Shun Osaka1. Osamu Kubo1, Kazuyuki Takahashi1, Masaya Oda2, Kentaro Kaneko, Hiroshi Tabata1, Shizuo Fujita, and Mitsuhiro Katayama1
(1Osaka University, 2FLOSFIA Inc.)
``Unpredicted surface termination of α-Fe2O3(0001) film grown by mist chemical vapor deposition"
Surface Science, Vol.660, pp.9-15, June 2017.

Takayoshi Oshima1. Yuji Kato1, Naoto Kawano1, Akito Kuramata2,3, Shigenobu Yamakoshi2,3, Shizuo Fujita, Toshiyuki Oishi1, and Makoto Kasu1
(1Saga University, 2Tamura Co., 3Novel Crystal Technology, Inc.)
``Carrier confinement observed at modulation-doped β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 heterojunction interface"
Applied Physics Express, Vol.10, No.3, 035701 (3 pages), Mar. 2017.

Kentaro Kaneko, Masaya Kitajima, and Shizuo Fujita
``Corundum-structured α-In2O3 as a wide-bandgap semiconductor for electrical devices"
MRS Advances, Vol.2, Iss.5, pp.301-307, Jan. 2017.


研究論文(プロシーディングス等に掲載されたもの)


解説

金子健太郎
``酸化物半導体の物性とデバイス応用 (講座)"
材料(日本材料学会), 第66巻, 第1号, 58-65頁, Jan. 2017.

藤田静雄
``非真空下における高機能薄膜形成技術:ミストデポジション-霧の力で安全・低コスト・高度の制御を実現する-"
FCレポート (日本ファインセラミックス協会), 第35巻, 第2号, 58-62頁, Apr. 2017.

藤田静雄
``酸化物半導体パワーデバイスの研究開発動向 : 酸化物の特徴を活かした低コスト・高性能のデバイスを目指して"
電気評論 (電気評論社), 第102巻, 第4号, 40-44頁, Apr. 2017.

人羅俊実*, 金子健太郎, 藤田静雄
(*(株)FLOSFIA)
``パワーデバイス用Ga2O3結晶"
電気学会誌, 第137巻, 第10号, 693-696頁, Oct. 2017.


国際会議等発表

Shizuo Fujita
`Corundum-structured n-type and p-type wide band gap oxide semiconductors (invited)"
Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices: 2017 German-Japanese-Spanish Joint Workshop, Mallorca, Spain (Mar. 5-8, 2017) #Tu-7 [oral, Mar. 7].

Kentaro Kaneko, Masaya Oda1, Toshimi Hitora1, and Shizuo Fujita
(1FLOSFIA Inc.)
``Corundmu-structured α-Ga2O3 based alloys for future power device applications (invited)”
IEEE 2017 Int. Conf. Electronics Packaging, Tendo, Japan (Apr. 19-22, 2017) #TC3-1 [oral, Apr. 20].

Riena Jinno, Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Control of Ga2O3 crystal structure on sapphire substrates by introducing α-(AlxGa1-x)2O3 buffer layers"
Compound Semiconductor Week 2017 (44th Int. Symp. Compound Semiconductors / 29th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials), Berlin, Germany (May 14-18, 2017) #A2.3 [oral, May 16].

Takayuki Uchida, Riena Jinno, Shu Takemoto, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Electrical properties of Si doped corundum structure Ga2O3 on sapphire substrate"
Compound Semiconductor Week 2017 (44th Int. Symp. Compound Semiconductors / 29th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials), Berlin, Germany (May 14-18, 2017) #A2.4 [oral, May 16].

Shizuo Fujita
``Oxide semiconductors by green growth technology for green innovation (invited)"
Compound Semiconductor Week 2017 (44th Int. Symp. on Compound Semiconductors / 29th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials), Berlin, Germany (May 14-18, 2017) #A2.6 [oral, May 16].

Riena Jinno, Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Fabrication of α-Ga2O3 using carbon-free precursor by the mist CVD method"
Compound Semiconductor Week 2017 (44th International Symposium on Compound Semiconductors / 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials), Berlin, Germany (May 14-18, 2017) #P2.58 [poster, May 16].

Kentaro Kaneko, Shizuo Fujita, and Toshimi Hitora1
(1FLOSFIA Inc.)
``An novel power device material of corundum-structured α-Ga2O3 generated by MIST EPITAXY(R) technique (invited)"
6th int. Symp. Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, Fukui, Japan (June 18-21, 2017) #PA1-2-2 [oral, Apr. 20].

Kentaro Kaneko, Takayuki Uchida, Shin-ichi Kan, Toshimi Hitora1, and Shizuo Fujita
(1FLOSFIA Inc.)
``Conductivity control for devices based on corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire"
59th Electronic Materials Conference, Notre Dame, USA (June 28-30, 2017) #F4 [oral, June 28].

Kentaro Kaneko, Toshimi Hitora1, and Shizuo Fujita
(1FLOSFIA Inc.)
``Explore of corundum-structured alloys with novel functions (invited)"
15th Int. Conf. Advanced Materials, Kyoto, Japan (Aug. 27-Sept. 1, 2017) #B1-I31-003 [oral, Aug. 31].

Shizuo Fujita
``Growth of different Ga2O3 polymorphs and their applications (invited)"
2nd Int. Workshop Gallium Oxide and Related Materials, Parma, Italy (Sept. 12-15, 2017) #I9 [oral, Sept. 15].

Takayuki Uchida, Riena Jinno, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Fabrication of Si-doped α-Ga2O3 and its electrical properties"
2nd Int. Workshop Gallium Oxide and Related Materials, Parma, Italy (Sept. 12-15, 2017) #P13 [poster, Sept. 14].

Riena Jinno, Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Control of crystallographic structure of Ga2O33 on sapphire"
2nd Int. Workshop Gallium Oxide and Related Materials, Parma, Italy (Sept. 12-15, 2017) #P94 [poster, Sept. 15].

Kentaro Kaneko, Shunichi Kan, Shu Takemoto, Toshimi Hitora1, and Shizuo Fujita
(1FLOSFIA Inc.)
``P-type oxide semiconductors in gallium oxide electronics"
18th Int. Conf. II-VI Compounds and related Materials, San Juan, Puerto Rico (Sept. 24-29, 2017) #F-5 [oral, Sept. 26].

Kentaro Kaneko, K. Ishii, b T. Onuma, c and S. Fujita
``Deep-ultraviolet luminescence of highly-crystalline rocksalt-structured MgxZn1-xO (x>0.5) films on MgO substrates (invited)"
18th Int. Conf. II-VI Compounds and Related Materials San Juan, Puerto Rico (Sept. 24-29, 2017) [oral, Sept. 29].

Kentaro Kaneko, Toshimi Hitora1, and Shizuo Fujita
(1FLOSFIA Inc.)
``Gallium oxide power devices fabricated by novel processes"
232nd Electrochemical Society Meeting, National Harbor, USA (Oct. 1-5, 2017) #1155 [oral, Oct. 4].

Kentaro Kaneko, Takashi Shinohe1, and Shizuo Fujita
(1FLOSFIA Inc.)
``Power device applications of Ga2O3 for SBDs and bipolar devices (invited)"
IEEE CPMT Symposium Japan 2017, Kyoto, Japan (Nov. 20-22, 2017) #12-02 [oral, Nov. 21].

Riena Jinno, Shu Takemoto, Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Fabrication of α-(AlxGa1-x)2O3 using carbon-free precursor by mist CVD method"
Materials Research Society Fall Meeting, Boston, USA (Nov. 26-Dec. 1, 2017) # EM04.09.06 [poster, Nov. 30].

Shinichi Kan, Shu Takemoto, Kentaro Kaneko, Toshimi Hitora1, and Shizuo Fujita
``Fabrication of corundum-structured p-type α-Ir2O3 thin films on α-Ga2O3 layers"
Materials Research Society Fall Meeting, Boston, USA (Nov. 26-Dec. 1, 2017) # EM04.09.14 [poster, Nov. 30].

Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Electrical characterization of Si-doped n-type α-Ga2O3 on sapphire substrates"
Materials Research Society Fall Meeting, Boston, USA (Nov. 26-Dec. 1, 2017) # EM04.09.26 [poster, Nov. 30].

Riena Jinno, Shu Takemoto, Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Growth behavior of Ga2O3 on sapphire substrate by controlling interface"
Materials Research Society Fall Meeting, Boston, USA (Nov. 26-Dec. 1, 2017) # EM04.10.10 [oral, Dec. 1].


その他

藤田静雄
``超ワイドギャップ酸化物半導体の成長と機能"
応用物理学会関西支部セミナー, 大阪市立大学 (2017年1月7日).

藤田静雄
``コランダム構造α-Ga2O3をベースとする混晶半導体系"
日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第98回研究会, 長浜ロイヤルホテル, (2017年1月12-13日). 

神野莉衣奈, 内田貴之, 金子健太郎, 藤田静雄
``sapphire 基板上Ga2O3の構造制御"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成28年度第1回講演会・見学会, 鳥取大学(2017年1月28日) P16.

竹本柊, 内田貴之, 神野莉衣奈, 金子健太郎, 藤田静雄
``溶液雰囲気を制御したミスト CVD 法によるα-Ga2O3薄膜の作製"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成28年度第1回講演会・見学会, 鳥取大学(2017年1月28日) P17.

内田貴之, 神野莉衣奈, 竹本柊, 金子健太郎, 藤田静雄
``Siドープコランダム構造(AlxGa1-x)2O3の作製"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成28年度第1回講演会・見学会, 鳥取大学(2017年1月28日) P18.

金子健太郎, 韓欣一, 人羅俊実, 藤田静雄
``コランダム構造p型酸化物半導体の成長と物性"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成28年度第1回講演会・見学会, 鳥取大学(2017年1月28日) P20.

藤田静雄, 人羅俊実, 金子健太郎
``次世代パワーデバイス半導体の基礎となる新規コランダム構造酸化物混晶の学術的開拓とその産業展開"
応用物理学会関西支部平成28年度第3回講演会, 大阪大学中の島センター, (2017年2月24日).

大島孝仁1, 加藤勇次1, 河野直士1, 倉又朗人2,3, 山腰茂伸2,3, 藤田静雄, 大石敏之1, 嘉数誠1
(1佐賀大学, 2タムラ製作所, 3ノベルクリスタルテクノロジー)"
``酸化ガリウム系ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察"
電気学会電子デバイス研究会, 日光市, (2017年3月9日-10日) EDD-17-042.

内田貴之, 神野莉衣奈, 竹本柊, 金子健太郎, 藤田静雄
``デバイス化に向けたSiドープα-Ga2O3薄膜の作製 (講演奨励賞受賞記念講演)"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14a-502-1.

神野莉衣奈, 内田貴之, 金子健太郎, 藤田静雄
``α-(AlxGa1-x)2O3バッファ層によるGa2O3の構造制御"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14a-502-9.

加藤勇次1, 大島孝仁1, 河野直士1, 倉又朗人2,3, 山腰茂伸2,3, 藤田静雄, 大石敏之1, 嘉数誠1
(1佐賀大学, 2タムラ製作所, 3ノベルクリスタルテクノロジー)"
``β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3ヘテロ接合界面における キャリア閉じ込めの観察"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14a-502-6.

小野雅史, 金子健太郎, 藤田静雄
``燃料電池金属セパレータ応用を目指したSUS上熱酸化膜に関する研究"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14p-419-15.

金子健太郎, 韓欣一, 人羅俊実, 藤田静雄
``p型伝導を示す9番目のコランダム構造酸化物α-Ir2O3の結晶成長とその電気特性"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14a-P8-19.

韓欣一, 金子健太郎, 人羅俊実, 藤田静雄
``α-Ir2O3/α-Ga2O3積層構造の作製"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14a-P8-20.

加藤勇次1, 大島孝仁1、河野直士1, 倉又朗人2,3, 山腰茂伸2,3, 藤田静雄, 大石敏之1, 嘉数誠1
(1佐賀大学, 2タムラ製作所, 3ノベルクリスタルテクノロジー)"
``β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3ヘテロ接合界面における キャリア閉じ込めの観察"
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, (2017年3月14日-17日) 14a-502-6.

藤田静雄
``ミストCVDがもたらすグリーンイノベーション"
日本セラミックス協会関西支部 第 12 回関西支部学術講演会, 京都大学桂キャンパス (2017年7月14日).

石井恭平, 尾沼猛儀1, 内田貴之,神野莉衣奈,金子健太郎, 藤田静雄
(1工学院大学)
``MgO基板上MgZnOの断面TEM観察とその発光"
平成29年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回研究会, 和歌山大学 (2017年7月15日).

藤田静雄
``超ワイドバンドギャップ酸化物半導体による紫外光発光"
日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会 第104回研究会, キャンパスイノベーションセンター東京 (2017年8月7日).

石井恭平, 尾沼猛儀1, 内田貴之,神野莉衣奈,金子健太郎, 藤田静雄
(1工学院大学)
``高品質MgZnO薄膜の成長と深紫外発光に関する研究"
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場他, (2017年9月5日-8日) 5p-A411-7.

竹本柊, 韓欣一, 金子健太郎, 人羅俊1実, 藤田静雄
(1(株)FLOSFIA)
``p型伝導酸化イリジウム薄膜の厚膜化とその電気特性"
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場他, (2017年9月5日-8日) 6p-PA8-30.

神野莉衣奈,内田貴之,金子健太郎, 藤田静雄
``α-(AlxGa1-x)2O3バッファ層が Ga2O3の結晶構造に及ぼす影響 (講演奨励賞受賞記念講演)"
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場他, (2017年9月5日-8日) 7p-C17-1.

内田貴之,神野莉衣奈,竹本柊, 金子健太郎, 藤田静雄
``デバイス化に向けた低表面ラフネスα-Ga2O3薄膜の作製"
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場他, (2017年9月5日-8日) 7p-C17-2.

小野雅史, 田中孝1, 内田貴之, 金子健太郎, 藤田静雄
(1アイテック(株))
``燃料電池金属セパレータ応用を目指したSnO2薄膜の作製に関する研究"
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場他, (2017年9月5日-8日) 8p-PA1-26.

藤田静雄
``コランダム構造α-Ga2O3のデバイス化への展望 (招待講演)"
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場他, (2017年9月5日-8日) 8p-A204-7.

藤田静雄, 四戸孝1, 人羅俊実1
(1(株)FLOSFIA)
``酸化ガリウム材料・デバイスの最近の進展と展望 (招待講演)"
先進パワー半導体分科会第4回講演会, 名古屋国際会議場, (2017年11月1日-2日) 8p-A204-7.

Riena Jinno, Takayoshi Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Control of Ga2O3 crystal structures by alpha-(AlxGa1-x)2O3 buffer layers"
第36回電子材料シンポジウム, 長浜ロイヤルホテル (2017年11月8日-10日) We3-1.

Kyohei Ishii, Takeyoshi Onuma, Takayoshi Uchida, Riena Jinno, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Study on growth of high quality MgZnO films on MgO substrates for DUV light emission "
第36回電子材料シンポジウム, 長浜ロイヤルホテル (2017年11月8日-10日) Th5-7.

吉村暢浩, 神野莉衣奈, 金子健太郎, 藤田静雄
``転位密度低減に向けたα-Ga2O33の横方向選択成長"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成29年度第2回研究会, 京都大学(2017年11月25日) P20.