2016年研究発表一覧


研究論文(学術誌に掲載されたもの)

Masaya Oda*, Kentaro Kaneko, Shizuo Fujita, and Toshimi Hitora*
(*FLOSFIA Inc.)
``Crack-free thick (∼5 μm) α-Ga2O3 films on sapphire substrates with α-(Al,Ga)2O3 buffer layers"
Japanese Journal of Applied Physics Vol.55, No.12, 1202B4 (5 pages), Dec. 2016.

Sam-dong Lee, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Homoepitaxial growth of beta gallium oxide films by mist chemical vapor deposition"
Japanese Journal of Applied Physics Vol.55, No.12, 1202B8 (6 pages), Dec. 2016.

Kazuaki Akaiwa*, Kentaro Kaneko, Kunio Ichino*, and Shizuo Fujita
(*Tottori Univ.)
``Conductivity control of Sn-doped α-Ga2O3 thin films grown on sapphire substrates"
Japanese Journal of Applied Physics Vol.55, No.12, 1202BA (8 pages), Dec. 2016.

Kentaro Kaneko, Takeyoshi Onuma*, Keiichi Tsumura, Takayuki Uchida, Riena Jinno, Tomohiro Yamaguchi**, Tohru Honda**, and Shizuo Fujita
(*Kogakuin Univ.)
``Growth of rocksalt-structured MgxZn1-xO (x>0.5) films on MgO substrates and their deep-ultraviolet luminescence"
Applied Physics Express, Vol.9, No.11, 111102 (4 pages), Nov. 2016.

Riena Jinno, Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Reduction in edge dislocation density in corundum-structured α-Ga2O3 layers on sapphire substrates with quasi-graded α-(AlxGa1-x)2O3 buffer layers"
Applied Physics Express, Vol.9, No.7, 071101(4 pages), Jul. 2016.

Giang T. Dang*, Takayuki Uchida, Toshiyuki Kawaharamura**, Mamoru Furuta**, Adam R. Hyndman*, Rodrigo Martinez*, Shizuo Fujita, Roger J. Reeves*, and Martin W. Allen*
*University of Canterbury, **Kochi University of Technology
``Silver oxide Schottky contacts and metal semiconductor field-effect transistors on SnO2 thin films"
Applied Physics Express, Vol.9, No.4, 041101(4 pages), Apr. 2016.

Kentaro Kaneko, Kenta Suzuki, Yoshito Ito, and Shizuo Fujita
``Growth characteristics of corundum-structured α-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 heterostructures on sapphire substrates"
Journal of Crystal Growth, Vol.436, pp.150-154, Feb. 2016.


研究論文(プロシーディングス等に掲載されたもの)


解説

Shizuo Fujita, Masaya Oda*, Kentaro Kaneko, and Toshimi Hitora*
(*FLOSFIA Inc.)
``Evolution of corundum-structured III-oxide semiconductors: Growth, properties, and devices"
Japanese Journal of Applied Physics Vol.55, No.12, 1202A3 (9 pages), Dec. 2016.

金子健太郎, 織田真也, 高塚章夫, 人羅俊実, 藤田静雄
``コランダム構造酸化ガリウムの結晶成長とデバイス応用"
材料, 第65巻, 第9号, 631-637頁, Sept. 2016.


国際会議等発表

Masahiro Ogasawara*, Takashi Hirao, and Shizuo Fujita
(*Mignon Belle Clinic)
``Narrow-band LEDs for mMedical applications (invited)"
4th Int. Conf. Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications, Yokohama, Japan (May 18-20, 2016) #LED1-1 [oral, May 18].

Shizuo Fujita
``Green synthesis of wide band gap single-crystalline oxide semiconductors for green innovation (invited)"
229th Electrochemical Society Meeting, San Diego, USA (May 29 - June 2, 2016) #1243 [oral, June 1].

Kazuaki Akaiwa, Kaneko Kentaro, Kunio Ichino, and Shizuo Fujita
``Conductivity control of Sn-doped coruncum-structured α-Ga2O3 films on sapphire (invited)"
Collaborative Conference on 3D & materials Research 2016, Incheon, Korea (June 20-24, 2016) abst. p.318 [oral, June 23].

Shizuo Fujita, Kazuaki Akaiwa, Sam-Dong Lee, and Kentaro Kaneko
``Doping to corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire for conductivity and structure control"
58th Electronic Materials Conference, Newark DE, USA (June 22-24, 2016) #G5 [oral, June 23].

Riena Jinno, Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Fabrication of α-Ga2O3 using α-(AlxGa1-x)2O3 buffer layers and its crystal structure properties"
43rd International Symposium on Compound Semiconductors (Compound Semiconductor Week 2016), Toyama, Japan (June 26-30, 2016) #TuC2-3 [oral, June 28].

Takayuki Uchida, Riena Jinno, Shu Takemoto, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Characterization of band offset in α-(AlxGa1-x)2O3/α-Ga2O3 heterostructures"
43rd International Symposium on Compound Semiconductors (Compound Semiconductor Week 2016), Toyama, Japan (June 26-30, 2016) #ThC1-5 [oral, June 30].

Shizuo Fujita
``Evolution of oxide semiconductors for novel functional device applications (invited)"
16th International Conference on Nanotechnology, Sendai, Japan (Aug. 22-25, 2016) #WePM12.3 [oral, Aug. 24].

Shizuo Fujita
``Properties of α-Ga2O3 and related III-oxides grown by mist CVD (invited)"
German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016, Berlin, Germany (Sept. 7-9, 2016) [oral, Sept. 8].

Kentaro Kaneko, Keiichi Tsumura, Takeyoshi Onuma, Takayuki Uchida, Riena Jinno, Tomohiro Yamaguchi, Tohru Honda, and Shizuo Fujita
``Deep-ultraviolet luminescence in rocksalt- structured Mg1-xZnxO thin films on MgO substrates"
2016 European Materials Research Society, Warsaw, Poland (Sept. 19-22, 2016) #M.7.6 [oral, Sept. 20].

Masashi Uchida, Sachio Komori, Itsuhiro Kakeya, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Fabrication of alpha-(In,M)2O3 (M=Fe, Ga) alloy thin films for all-corundum structured spin FET"
2016 European Materials Research Society, Warsaw, Poland (Sept. 19-22, 2016) #Z.11.5 [oral, Sept. 21].

Riena Jinno, Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
"Fabrication of α-Ga2O3 thin films using α-(AlxGa1-x)2O3 multi buffer layers and its crysatal structure properties"
Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2016), Honolulu HI, USA (Oct. 2-7, 2016) #206.3 [oral, Oct. 7].

Takeyoshi Onuma*, Keiichi Tsumura, Kentaro Kaneko, Ryosuke Nawa*, Mizuki Ono*, Takayuki Uchida, Riena Jinno, Tomohiro Yamaguchi*, Shizuo Fujita, and Tohru Honda*
(*Kogakuin University)
``Temperature-dependent cathodoluminescence spectra of rocksalt MgxZn1-xO films grown by mist chemical vapor deposition method"
9th Int. Workshop Zinc Oxide and Related Materials, Taipei, Taiwan (Oct. 30-Nov. 2) #TB5 [oral, Nov. 1].

Shizuo Fujita
``Materials issues and device applications of gallium oxide-based semiconductors (invited)"
7th Int. Symp. Advanced Science and Technology of Silicon Materials, Kona HI, USA (Nov. 21-25) #R-3 [oral, Nov. 25].

Shizuo Fujita, Masashi Kitajima, and Kentaro Kaneko
``Corundum-structured α-In2O33 as a wide-bandgap semiconductor"
Materials Research Society Fall Meeting, Boston, USA (Nov. 27-Dec. 2, 2015) # EM11.3.09 [oral, Nov. 29].

Shizuo Fujita
``Ultra-wide band gap oxide semiconductors for electrical and optical applications (invited)"
26th Annual Meeting of MRS-J, Yokohama Japan (19-22 Dec. 2016), Advanced Functional Oxide Materials #A3-I20-002 [oral, Dec. 20].


その他

藤田静雄
``ミストデポジション法と酸化物薄膜・半導体への応用(invited)"
電子デバイス界面テクノロジー研究会, 三島, 東レ総合研修センター (2016年1月21-23日).

北島雅士, 内田貴之, 金子健太郎, 藤田静雄
``コランダム構造酸化インジウム薄膜の構造・電気特性"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第3回研究会, 福井大学(2016年1月30日) P11.

内田貴之, 神野莉衣奈, 竹本柊, 金子健太郎, 藤田静雄
``α-(AlxGa1-x)2O3/α-Ga2O3 のバンドオフセット解析"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第3回研究会, 福井大学(2016年1月30日) P14.

神野莉衣奈, 金子健太郎, 藤田静雄
``高品質α-Ga2O3に向けた 多層α-(AlxGa1-x)2O3バッファ層の作製" 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第3回研究会, 福井大学(2016年1月30日) P15.

藤田静雄, 金子健太郎
``酸化物薄膜の成膜に向けたミストCVD技術の進展"
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, (2016年3月19日-22日) 20p-H111-1.

神野莉衣奈, 内田貴之, 金子健太郎, 藤田静雄
``高品質α-Ga2O3に向けた α-(AlxGa1-x)2O3超格子バッファ層の作製と結晶構造評価"
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, (2016年3月19日-22日) 21a-S222-4.

内田貴之, 神野莉衣奈, 竹本柊, 金子健太郎, 藤田静雄
``α-(AlxGa1-x)2O3薄膜の電子状態解析 およびα-(AlxGa1-x)2O3/α-Ga2O3 のバンドアライメント解析"
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, (2016年3月19日-22日) 21a-S222-5.

藤田静雄, 織田真也, 人羅俊実*
(*FLOSFIA)
``ミストCVD法による酸化ガリウム系薄膜の成長とデバイス化"
日本学術振興会薄膜第131委員会第279回研究会, 東京都立産業技術研究センター, (2016年4月22日). 

藤田静雄
``II-VI族半導体の最近の研究"
日本学術振興会光電相互変換第125委員会第231回研究会, 明治大学駿河台キャンパス, (2016年6月13日). 

Riena Jinno, Takayuki Uchida, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Crystal properties of corundum-structured α-Ga2O3 thin films on sapphire with α-(AlxGa1-x)2O3 multi buffer layer"
第36回電子材料シンポジウム, ラフォーレ琵琶湖 (2016年7月6日-8日) Fr1-15.

Shu Takemoto, Takayuki Uchida, Riena Jinno, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Growth and electrical properties of Sn-doped corundum-structured aluminum gallium oxide alloy thin films"
第36回電子材料シンポジウム, ラフォーレ琵琶湖 (2016年7月6日-8日) Fr1-16.

Kazuaki Akaiwa*, Kentaro Kaneko, Kunio Ichino*, and Shizuo Fujita
(*Tottori University)
``Electrical properties of Sn-doped α-Ga2O3 films grown on annealed buffer layer
第36回電子材料シンポジウム, ラフォーレ琵琶湖 (2016年7月6日-8日) Fr1-17.

Takayuki Uchida, Riena Jinno, Shu Takemoto, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Characterization of corundum structured α-(AlxGa1-x)2O3/α-Ga2O3 heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy"
第36回電子材料シンポジウム, ラフォーレ琵琶湖 (2016年7月6日-8日) Fr1-18.

Kentaro Kaneko, M.Kitajima*, Takayuki Uchida, Masaya Oda*, A. Takatsuka*, T. Hitora*, and Shizuo Fujita
(*FLOSFIA)
"Growth of corundum-structured III-oxide semiconductors on sapphire and their device applications"
第36回電子材料シンポジウム, ラフォーレ琵琶湖 (2016年7月6日-8日) Fr1-19.

Kentaro Kaneko, Keiichi Tsumura, Takeyoshi Onuma*, Takayuki Uchida, Riena Jinno, Tomohiro Yamaguchi*, Tohru Honda*, and Shizuo Fujita
(*Kogakuin University)
``Deep-ultraviolet luminescence in rocksalt- structured Mg1-xZnxO thin films"
第36回電子材料シンポジウム, ラフォーレ琵琶湖 (2016年7月6日-8日) Fr1-21.

藤田静雄
``酸化物半導体の応用に向けた成長・物性の制御"
応用物理学会応用電子物性分科会研究例会, 首都大学東京 秋葉原サテライトキャンパス (2016年7月29日).

金子健太郎, 津村圭一, 尾沼猛儀*, 内田貴之, 神野莉衣奈, 山口智広*, 本田徹*, 藤田静雄
(*工学院大学)
``Rock salt型MgZnO薄膜の成長とその深紫外発光特性"
平成28年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, 大阪府立大学 (2016年7月30日) #9.

金子健太郎, 人羅俊実*, 藤田静雄
(*FLOSFIA)
``新規半導体p型コランダム構造酸化物薄膜の成長"
平成28年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, 大阪府立大学 (2016年7月30日) #10.

神野莉衣奈, 内田貴之, 金子健太郎, 藤田静雄
``α-(AlxGa1-x)2O3 傾斜バッファ層を導入したα-Ga2O3薄膜の作製"
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟, (2016年9月13日-16日) 14p-P10-11.

金子健太郎, 人羅俊実*, 藤田静雄
(*FLOSFIA) ``新しいp型半導体に関する研究"
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟, (2016年9月13日-16日) 15a-A22-11.

金子健太郎, 津村圭一, 尾沼猛儀*, 内田貴之, 神野莉衣奈, 山口智広*, 本田徹*, 藤田静雄
(*工学院大学)
``岩塩構造Mg1-xZnxO薄膜の深紫外発光"
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟, (2016年9月13日-16日) 15p-A22-17.

内田昌志, 金子健太郎, 藤田静雄
``α-(InxGa1-x)2O3/α-Ga2O3 ヘテロ構造の界面急峻化に向けた研究"
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟, (2016年9月13日-16日) 16a-A22-7.

内田貴之, 神野莉衣奈, 竹本柊, 金子健太郎, 藤田静雄
``Siドープα-Ga2O3薄膜の作製とその電気特性解析"
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟, (2016年9月13日-16日) 16a-A22-8.

金子健太郎, 高木良輔, 田中孝*, 人羅俊実**, 藤田静雄
(*アイテック株式会社, *株式会社FLOSFIA)
``高導電性高耐食性酸化膜を用いた燃料電池用金属セパレータへの応用"
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟, (2016年9月13日-16日) 16a-A31-9.

内田貴之, 中村昌幸*, 金子健太郎, 神野莉衣奈, 小林貴之*, 本山慎一*, 藤田静雄
(*サムコ株式会社)
``α-(AlxGa1-x)2O3薄膜のドライエッチングの特性"
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟, (2016年9月13日-16日) 16a-A22-9.

竹本柊, 内田貴之, 神野莉絵奈, 金子健太郎, 田中勝久, 藤田静雄
``Snドープα-(AlxGa1-x)2O3薄膜の 作製とESR測定"
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟, (2016年9月13日-16日) 16a-A22-10.

内田貴之, 神野莉衣奈, 金子健太郎, 藤田静雄
``α-Ga2O3 の導電性制御に向けたドーピング材料の検討"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成28年度第2回研究会, 京都工芸繊維大学 (2016年11月5日).

内田昌志, 金子健太郎, 藤田静雄
"完全格子整合系スピンFETに向けたα-(Ga,M)2O3 (M=In,Fe) 混晶薄膜の成長"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成28年度第2回研究会, 京都工芸繊維大学 (2016年11月5日).

金子健太郎, 人羅俊実*, 藤田静雄
(*FLOSFIA Inc.)
``新規コランダム構造p型半導体α-Ir2O3の電気特性"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成28年度第2回研究会, 京都工芸繊維大学 (2016年11月5日).

内田貴之, 神野莉衣奈, 金子健太郎, 藤田静雄
``Si ドープ α-Ga2O3 薄膜の電気特性解析"
高知工科大学 総合研究所 ナノテク研シンポジウム 2016, 高知工科大学 永国寺キャンパス, (2016年11月12日) Poster #7.

内田昌志, 金子健太郎, 藤田静雄
``完全格子整合系スピン FET 実現に向けた α-(In,Ga)2O3, α-(Ga,Fe)2O3 混晶薄膜の成長"
高知工科大学 総合研究所 ナノテク研シンポジウム 2016, 高知工科大学 永国寺キャンパス, (2016年11月12日) Poster #8.

神野莉衣奈, 内田貴之, 金子健太郎, 藤田静雄
``α-(Al,Ga)2O3 傾斜バッファ層を導入した α-Ga2O3 の作製"
高知工科大学 総合研究所 ナノテク研シンポジウム 2016, 高知工科大学 永国寺キャンパス, (2016年11月12日) Poster #27.

竹本 柊, 内田貴之, 神野莉衣奈, 金子健太郎, 田中勝久, 藤田静雄
``Sn ドープ α-(Al,Ga)2O3 混晶薄膜の作製と熱処理後の ESR 測定"
高知工科大学 総合研究所 ナノテク研シンポジウム 2016, 高知工科大学 永国寺キャンパス, (2016年11月12日) Poster #31.

赤岩和明*, 市野邦男*, 金子健太郎, 藤田静雄
(*鳥取大学)
``sapphire基板上へのコランダム構造酸化ガリウムの成長と電気特性制御"
電子情報通信学会 電子部品・材料/電子デバイス/レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 京都大学, (2016年12月12日-13日) CPM2016-112.