2015年研究発表一覧


研究論文(学術誌に掲載されたもの)

Takahiro Shirahata*, Toshiyuki Kawaharamura**, Shizuo Fujita, and Hiroyuki Orita*
(*Toshima Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation, **Kochi University of Technology)
``Transparent conductive zinc-oxide-based films grown at low temperature by mist chemical vapor deposition"
Thin Solid Films, Vol.597, pp.30-38, Dec. 2015.

Kentaro Kaneko, Yoshito Ito, Takayuki Uchida and Shizuo Fujita
``Growth and metal-oxide-semiconductor field-effect transistors of corundum-structured alpha indium oxide semiconductors"
Applied Physics Express, Vol.8, No.9, 095503(4 pages), Sept. 2015.

柴山 健次, 金子 健太郎, 藤田 静雄
``超音波噴霧ミスト法によるCu2ZnSnS4薄膜の成膜"
材料, 第64巻, 第5号, 410-413頁, 2015年5月.

Sam-Dong Lee, Yoshito Ito, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Enhanced thermal stability of alpha gallium oxide films supported by aluminum doping"
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, No.3, 030301(4 pages), Mar. 2015.

Kazuaki Akaiwa, Kentaro Kaneko, Shizuo Fujita, Ekaterina Chikoidze*, and Yves Dumont*
(*Versailles University)
``Room temperature ferromagnetism in conducting α-(In1-xFex)2O3 alloy films"
Applied Physics Letters, Vol.106, No.6, 062405(4 pages), Feb. 2015.


研究論文(プロシーディングス等に掲載されたもの)


解説

小笠原 正弘, 平尾 孝, 藤田 静雄
``超狭帯域LED光源の開発とその皮膚医学応用"
材料, 第64巻, 第5号, 405-409頁, 2015年5月.

Shizuo Fujita
``Wide-bandgap semiconductor materials: For their full bloom"
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, No.3, 030101(12 pages) Mar. 2015.


国際会議等発表

Shizuo Fujita
`Growth, properties and devices of gallium-oxide-based widegap semiconductors (invited)"
DPG (Deutsche Physikalische Gesellschaft e.V.) Spring Meeting, Berlin, Germany (Mar 15-20, 2015) #DS34.1 [oral, Mar. 19].

Shizuo Fujita, Sam-Dong Lee, Kazuaki Akaiwa, Yoshito Ito, Masashi Kitajima, and Kentaro Kaneko
``Crystal stability and electrical defects in corundum-structured α-Ga2O3-based semiconductor thin films (invited)"
2015 Materials Research Society Spring Meeting, San Francisco, USA (Apr.6-10, 2015) #CC10.05 [oral, Apr. 9].

Masahiro Ogasawaga*, Takashi Hirao, and Shisuo Fujita
(*Mignon Belle Clinic)
``Narrow-band LED therapy in dermatology and hypnology"
3rd Int. Conf. Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications, Yokohama, Japan (Apr. 22-24, 2015) #24p-LED7-4 [oral, Apr. 24].

Shizuo Fujita, Yoshito Ito, Takayuki Uchida, Riena Jinno, and Kentaro Kaneko
``Growth and properties of corundum-structured α-(In,Ga)2O3 semiconductor alloys on sapphire substrates for electrical applications"
57th Electronic Materials Conference, Ohio State University, USA (June 24-26, 2015) #E2 [oral, June 24].

Kentaro Kaneko, Yoshito Ito, Takayuki Uchida, Riena Jinno, and Shizuo Fujita
``Issues on Corundum-Structured α-Ga2O3 and α-In2O3 MOSFETs on sapphire substrates"
42nd International Symposium on Compound Semiconductors, Santa Barbara, USA (June 28-July 2, 2015)

Kazuaki Akaiwa, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Electrical property of Sn-doped corundum-structured Ga2O3 thin films on sapphire substrates"
42nd International Symposium on Compound Semiconductors, Santa Barbara, USA (June 28-July 2, 2015)

Shizuo Fujita, Sam-Dong Lee, Kazuaki Akaiwa, Yoshito Ito, Kenta Suzuki, and Kentaro Kaneko
``Green oxide devices with green growth technology (invited)"
Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices --- 2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop ---, Kyoto, Japan (July 11-14, 2015) [oral, July 12].

Shizuo Fujita
``Growth of oxide semiconductors by mist CVD (invited)"
International Workshop on Advanced Materials and Devices II, Osaka, Japan (Sept. 4, 2015) [oral, Sept. 4].

Shizuo Fujita
``Recent evolution of oxide semiconductors (keynote talk)"
5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano), Hsinchu, Taiwan (Sept. 6-11, 2015) #K-4 [oral, Sept. 10].

Shizuo Fujita, Kazuaki Akaiwa, Sam-Dong Lee, Yoshito Ito, Kenta Suzuki, Ryota Takagi, and Kentaro Kaneko
``Ultrasonic-assisted mist chemical vapor deposition for oxide and sulfide semiconductor thin films"
17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Paris, France (Sept. 13-18, 2015) #MoP-26 [poster, Sept. 14, 2015]

E.Chikoidze*, E.Shigematsu, G. Bouchez*, Y. Chang*, Y. Dumont* Kazuaki Akaiwa, Kentaro Kaneko, Shizuo Fujita, H.J. von Bardeleben**, and J.L.Cantin**
(*Universite de Versailles, **Sorbonne Universites, UPMC Universite Paris 6)
``Investigation of the opto-electronic properties of Sn doped α-Ga2O3"
1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Kyoto, Japan (Nov. 3-6, 2015) #E5 [poster, Nov. 4].

Kazuaki Akaiwa, Kentaro Kaneko, Shizuo Fujita
``Electrical properties of Sn-doped corundum-structured Ga2O3 thin films on sapphire substrates"
1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Kyoto, Japan (Nov. 3-6, 2015) #E8 [poster, Nov. 4].

Masashi Uchida, Kazuaki Akaiwa, Sachio Komori, Itsuhiro Kakeya, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Electrical properties of Sn-doped α-(In1-xGax)2O3 alloy thin films with room temperature ferromagnetism"
1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Kyoto, Japan (Nov. 3-6, 2015) #E39 [poster, Nov. 4].

Sam-Dong Lee and Shizuo Fujita
``Fabrication of conductive Sn-doped β-Ga2O3 films by mist chemical vapor deposition"
1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Kyoto, Japan (Nov. 3-6, 2015) #G6 [oral, Nov. 5].

Sam-Dong Lee and Shizuo Fujita
"Homo epitaxial gGrowth of beta gallium oxide films by mist chemical vapor deposition"
Materials Research Society Fall Meeting, Boston, USA (Nov. 29-Dec. 4, 2015) #RR9.05 [poster, Dec. 3].


その他

伊藤義人,内田貴之,神野莉衣奈,金子健太郎,藤田静雄
``コランダム構造酸化物によるMOSFET"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成26年度第3回研究会, 広島大学(2014年3月14日) P5.

金子健太郎,赤岩和明,内田昌志,藤田静雄
``準安定相磁性酸化物の物性開拓"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成26年度第3回研究会, 広島大学(2014年3月14日) P19.

内田貴之、川原村敏幸*、藤田静雄、平松孝浩**、織田容征**
(*高知工科大, **東芝三菱電機産業システム)
``反応支援型ミストCVD法により低温成長した酸化アルミニウム(AlOx)薄膜のパッシベーション応用特性"
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学, (2015年3月11日-14日) 11a-C2-6.

藤田静雄
``酸化物半導体における価電子メタモルフォロジの制御"
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学, (2015年3月11日-14日) 12p-D1-3.

高塚章夫*、織田真也*、金子健太郎、藤田静雄、人羅俊実*
(*株式会社FLOSFIA) ``ミストエピタキシー法によるα型酸化ガリウムの横方向選択成長(ELO)"
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学, (2015年3月11日-14日) 13a-P18-12.

尾坂駿*、丹波大樹*、高橋一暉*、織田真也**、金子健太郎、田畑博史*、久保理*、藤田 静雄、片山光浩*
(*阪大, **株式会社FLOSFIA)
``サファイア上にミストCVD成長させたα-Fe2O3 (0001)薄膜のCAICISSによる表面構造解析"
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学, (2015年3月11日-14日) 13a-P18-15.

金子健太郎, 織田真也*, 藤田静雄, 人羅俊実*
(*株式会社FLOSFIA) ``α-Ga2O3バルク単結晶の作製と構造評価"
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学, (2015年3月11日-14日) 13p-D1-1

赤岩和明, 李三東, 金子健太郎, 藤田静雄
``ミストCVD法により成長したSnドープGa2O3薄膜の電気特性評価"
2015年第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学, (2015年3月11日-14日) 13p-D1-4.

伊藤義人, 金子健太郎, 藤田静雄
``コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作"
電子情報通信学会電子部品・材料(CPM), 電子デバイス(ED), シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 豊橋技術科学大学, (2015年5月28日-29日) ED2015-21, CPM2015-6, SDM2015-23.

藤田静雄
``酸化ガリウムをベースにしたワイドギャップ半導体系(invited)"
応用物理学会関西支部平成27年度第1回講演会, イーグレ姫路, (2015年6月22日).

赤岩和明, 李三東, 金子健太郎, 藤田静雄
``Snドープしたコランダム構造酸化ガリウム薄膜の電気特性"
応用物理学会関西支部平成27年度第1回講演会, イーグレ姫路, (2015年6月22日) P-01.

尾坂駿*、丹波大樹*、高橋一暉*、織田真也**、金子 健太郎、田畑 博史*、久保理*、藤田静雄、片山光浩*
(*大阪大学, **(株)FLOSFIA) ``α-Al2O33基板上にミストCVD成長させたα-Ga2O33薄膜の表面緩和構造"
2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, (2015年9月13日-16日) 13p-PB6-3.

内田昌志, 赤岩和明, 小森祥央, 掛谷一弘, 金子健太郎, 藤田静雄
``高品質α-Fe2O33薄膜の電気特性および磁気特性に与えるドーピング効果の影響"
2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, (2015年9月13日-16日) 14p-PA13-4.

神野莉衣奈, 伊藤義人, 金子健太郎, 藤田静雄
``α-(AlxGa1-x)2O3バッファ層を用いα-Ga2O33薄膜の結晶構造評価"
2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, (2015年9月13日-16日) 15a-1B-2.

赤岩和明, 金子健太郎, 藤田静雄
``アニールバッファ上に作製したSnドープalpha-Ga2O33薄膜の電気特性評価"
2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, (2015年9月13日-16日) 15a-1B-3.

神野莉衣奈, 伊藤義人, 金子健太郎, 藤田静雄
``高品質alpha-Ga2O33に向けたalpha-(AlGa)2O33バッファ層の作製"
高知工科大学総合研究所ナノテク研シンポジウム2015, 高知工科大学, (2015年11月14日).

赤岩 和明, 金子健太郎, 藤田静雄
``アニールバッファ上に作製したSnドープalpha-Ga2O33薄膜の電気特性評価"
日本材料学会半導体エレクトロニス部門委員会平成27年度第2回研究会, 京都大学, (2015年11月21日).

Shizuo Fujita
``Mist Deposition Technology as a Green Route for Thin Film Growth [AMFPD]"
第15回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」, 大阪工業大学うめきたナレッジセンター, (2015年12月15日).