papers in 2009

2009年研究発表一覧


研究論文(学術誌に掲載されたもの)

Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Naoki Arai*, Norihito Suzuki*, Harumichi Hino*, and Shizuo Fujita
(*Nippon Light Metal Co. Ltd.)
``Flame detection by a β-Ga2O3-based sensor"
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.1, 011605(7pages), Jan. 2009.

Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Naoki Arai*, Yasushi Kobayashi*, and Shizuo Fujita
(*Nippon Light Metal Co. Ltd.)
``Wet etching of β-Ga2O3 substrates"
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 040208(3pages), Apr. 2009.

Kentaro Kaneko, Taichi Nomura, Itsuhiro Kakeya, and Shizuo Fujita
``Fabrication of highly crystalline corundum-structured α-(Ga1-xFex)2O3 alloy thin films on sapphire substrates"
Applied Physics Express, Vol.2, No.7, 075501(3pages), June 2009.

Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Naoki Arai*, Yasushi Kobayashi*, and Shizuo Fujita
(*Nippon Light Metal Co. Ltd.)
``β-Al2xGa2-2xO3 thin film growth by molecular beam epitaxy"
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.7, 070202(3pages), July 2009.

Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, and Shizuo Fujita
``UV-B sensor based on a SnO2 thin film"
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.12, 120207(3pages), Dec. 2009.

Hiroyuki Nishinaka, Yudai Kamada, Naoki Kameyama, and Shizuo Fujita
``Epitaxial ZnO thin films on a-plane sapphire substrates grown by ultrasonic spray-assisted mist chemical vapor deposition"
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.12, 121103(5pages), Dec. 2009.


研究論文(プロシーディングス等に掲載されたもの)

Hiroyuki Nishinaka, Yudai Kamada, Keiji Kiba, Naoki Kameyama, Shizuo Fujita
``Ultrasonic spray assisted mist-CVD method for high-quality crystalline and amorphous oxide semiconductors growth"
Materials. Research Society Symposium Proceedings, Vol. 1113, F05-09, 2009.


解説

藤田静雄
``ZnO系透明導電膜に向けたミストCVD技術の展開"
月刊マテリアルステージ, Vol.8, No.10, pp.39-43, Jan. (技術情報協会, 2009).

香取重尊、藤田静雄
``二光子吸収現象を利用した一括型光メモリ"
次世代光メモリとシステム技術, pp.241-248 (シーエムシー出版, 2009).

藤田静雄
``青色半導体発光層における自己組織化", ``MBE成長ZnCdOの自己組織化"
自己組織化ハンドブック, pp.701-703, 714-716 (NTS, 2009).

藤田静雄、大島孝仁、金子健太郎
``ワイドギャップ酸化ガリウム半導体"
応用物理, 第78巻, 第12号, pp.1150-1154, Dec. 2009.


国際会議等発表

Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Naoki Arai*, Satoshi Takeda*, Yasushi Kobayashi*, Harumichi Hino*, and Shizuo Fujita
(*Nippon Light Metal Co. Ltd.)
``Solar-blind photodetector based on β-Ga2O3 and its application to a flame sensor"
6th Int. Symp. Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics, Tokyo, Japan (Apr. 15-17, 2009) #16a-O004.

Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Naoki Arai*, Yasushi Kobayashi*, and Shizuo Fujita
(*Nippon Light Metal Co. Ltd.)
``Patterning of β-Ga2O3 for device fabrication"
6th Int. Symp. Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics, Tokyo, Japan (Apr. 15-17, 2009) #16p-P167.

Shizuo Fujita
``Ultraviolet optical functions of oxide semiconductors" (invited)
Asia-Pacific Workshop on Wide Gap Semiconductors 2009, Zhangjiajie, Hunan,China (May 24-27, 2009) #Tu2-1 [oral, May 26].

Hiroyuki Nishinaka, Yudai Kamada, Naoki Kameyama, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Ultrasonic spray assisted mist-CVD for the growth of crystalline and amorphous ZnO"
51st Electronic Materials Conference, State College, USA (June 23-25, 2009) #W4 [oral, June 25].

Yudai Kamada, Shizuo Fujita, Takahiro Hiramatsu*, H Nitta*, Mamoru Furuta*, and Takashi Hirao*
(*Kochi University of Technology)
``Photo leakage current of zinc oxide thin film transistors in the visible light"
16th Int. Workshop on Active-Matrix Flat Panel Displays and Devices - TFT Technologies and FPD Materials -, Nara, Japan (Jul. 1-3, 2009) L-3 [oral, July 3].

Hiroyuki Nishinaka, Yudai Kamada, Naoki Kameyama, Kentaro Kaneko, and Shizuo Fujita
``Growth characteristics of poly-crystalline and single-crystalline ZnO layers by ultrasonic spray assisted mist-CVD technique"
14th Int. Conf. II-VI Compounds, St. Petersburg, Russia (Aug. 23-28, 2009) #We1-7 [oral, Aug.26].

Takayoshi Oshima, Takeya Okuno*, Naoki Arai*, Yasushi Kobayashi*, and Shizuo Fujita
(*Nippon Light Metal Co.)
"β-Al2xGa2-2xO3 thin film growth by molecular beam epitaxy"
36th Int. Symp. Compound Semiconductors, Santa Barbara, USA (Aug.30-Sept.2, 2009) #7.4 [oral, Aug.31].

Kentaro Kaneko, Taichi Nomura, and Shizuo Fujita
``Corundum-structured α-Ga2O3-Fe2O3-Cr2O3 alloy system for novel functions"
36th Int. Symp. Compound Semiconductors, Santa Barbara, USA (Aug.30-Sept.2, 2009) #P1.17 [poster, Aug.31].

Shizuo Fujita, Kentaro Kaneko, and Takayoshi Oshima
``Wide bandgap oxide semiconductors for novel functions and applications"
216th Electrochemical Society Meeting, Vienna, Austria (Oct.4-9, 2009) Abs#2340 [oral, Oct.7].

Shizuo Fujita, Takumi Ikenoue, Kentaro Kaneko, Naoki Kameyama, Takeya Okuno, and Taichi Nomura
``Mist deposition technique as a green chemical route for synthesizing oxide and organic thin films"
2009 Materials Research Society Fall Meeting, Boston, USA (Nov.30-Dec.4, 2009) #BB4.6 [oral, Dec.1].


その他

野村太一, 金子健太郎, 藤田静雄
``ミストCVD法による高品質α-Fe2O3(ヘマタイト)単結晶薄膜の成長"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会第21回(平成20年度第1回)研究会、大阪大学、 (2009年3月17日).

西中浩之, 藤田静雄
``ミストデポジション法による酸化物薄膜・有機薄膜の成膜"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会第21回(平成20年度第1回)研究会、大阪大学、 (2009年3月17日).

亀山直季, 西中浩之, 藤田静雄
``PEDOT:PSSとミストCVD法で成膜したZnMgOによるショットキフォトディテクタの作製"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会第21回(平成20年度第1回)研究会、大阪大学、 (2009年3月17日).

大島孝仁, 藤田静雄
``酸化ガリウムを利用した半導体炎検知器"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門第21回研究会、大阪大学、 (2009年3月17日).

藤田静雄
``Ga2O3半導体の深紫外光機能とデバイス応用"
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会、筑波大学、 (2009年3月30日-4月2日) 30p-ZK-7, p.40.

池之上卓己,香取重尊,藤田静雄,神原浩久1,平林克彦1, 栗原 隆
(1NTT光エレクトロニクス研究所)
``有機ホウ素ポリマーを用いた二光子吸収型光メモリ導波路"
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会、筑波大学、 (2009年3月30日-4月2日) 30p-ZW-9, p.1212.

大島孝仁,奥野剛也,新井直樹1,竹田聡1, 小林恭1,樋野治道1,藤田静雄
(1日本軽金属)
``β-Ga2O3基板を用いて作製した炎センサ"
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会、筑波大学、 (2009年3月30日-4月2日) 31p-ZK-16, p.541,991.

大島孝仁,奥野剛也,新井直樹1, 小林恭1,藤田静雄
(1日本軽金属)
``分子線エピタキシー法によるβ-Al2xGa2-2xO3薄膜の作製
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会、筑波大学、 (2009年3月30日-4月2日) 31p-ZK-17, p.541,991.

藤田静雄
``ワイドギャップ酸化物Ga2O3系半導体の光・電子機能"
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会、筑波大学、 (2009年3月30日-4月2日) 31p-ZW-2, p.109.

野村太一,藤田静雄
``ミストCVD法による高品質α-Fe2O3(ヘマタイト) 単結晶薄膜の成長"
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会、筑波大学、 (2009年3月30日-4月2日) 31a-P7-29, p.633.

金子健太郎,藤田静雄
``α-Ga2O3とα-Fe2O3の混晶薄膜作製"
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会、筑波大学、 (2009年3月30日-4月2日) 1a-Q-25, p.776.

西中浩之,池之上卓己,藤田静雄
``超音波噴霧ミストデポジション法によるPEDOT/PSS薄膜の作製"
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会、筑波大学、 (2009年3月30日-4月2日) 2a-W-9, p.1271.

Yudai Kamada, Shizuo Fujita, Takahiro Hiramatsu*, Tokiyoshi Matsuda*, Hiroshi Nitta*, Mamoru Furuta*, and Takashi Hirao*
(*Kochi University ofTechnology)
``Photo leakage current of zinc oxide thin film transistors (酸化亜鉛薄膜トランジスタの光誘起電流)"
第28回電子材料シンポジウム(28th Electronic Materials Symposium), ラフォーレ琵琶湖, (2009年7月8-10日) C-3.

Takayoshi Oshima, Takuya Okuno, Naoki Arai*, Satoshi Takeda*, Yasushi Kobayashi*, Harumichi Hino*, and Shizuo Fujita
(*Nippon Light Metal Co., Ltd)
``β-Ga2O3-based sensor for flame detection (炎検知のためのベータ型酸化ガリウム検知器)"
第28回電子材料シンポジウム(28th Electronic Materials Symposium), ラフォーレ琵琶湖, (2009年7月8-10日) J-4.

大島孝仁,奥野剛也,新井直樹1,竹田聡1,小林恭1,樋野治道1,藤田静雄
(1日本軽金属)
``ワイドバンドギャップ酸化物半導体β-Ga2O3を用いた炎センサ"
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会、富山大学、 (2009年9月8-11日) 9p-J-1, p.480,872.

池之上卓己,亀山直季,藤田静雄
`` 超音波噴霧ミストデポジション法によるPEDOT/PSS薄膜の作製と酸化物半導体フォトディテクタへの応用"
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会、富山大学、 (2009年9月8-11日) 9p-J-2, p.481,873.

金子健太郎,野村太一,藤田静雄
``コランダム構造を持つ新しいα型Ga2O3-Fe2O3-Cr2O3混晶系"
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会、富山大学、 (2009年9月8-11日) 9p-J-3, p.481,873.

藤田静雄
``イントロダクトリートーク:シリコン基板上化合物半導体デバイスの新展開"
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会、富山大学、 (2009年9月8-11日) 9p-TE-1, p.86.

亀山直季,藤田静雄,織田容征1,白幡孝洋1
(1東芝三菱電機産業システム)
``超音波噴霧ミストCVD法によるZnO透明導電膜の成膜と添加物の効果"
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会、富山大学、 (2009年9月8-11日) 10p-J-11, p.493,885.

織田容征1,白幡孝洋1,亀山直希,藤田静雄
(1東芝三菱電機産業システム)
``超音波噴霧ミストCVDによるZnO系薄膜の低温成膜"
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会、富山大学、 (2009年9月8-11日) 10p-J-12, p.493,885.

藤田静雄
``酸化物薄膜成膜のためのミストCVD技術"
日本セラミックス協会第22回シンポジウム、愛媛大学、 (2009年9月16-18日) 2N06, p.342.

鎌田雄大, 藤田静雄, 平松孝浩1, 松田時宜1, 古田守1, 平尾孝1
1高知工科大学
``ZnO-TFT構造に由来する寄生トランジスタと光感度の関係性"
薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会、龍谷大学、 (2009年11月2-3日) 2O01.

金子健太郎、野村太一、福井裕、井川拓人、藤田静雄
``ミストCVD法による酸化物半導体薄膜の作製"
応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会、学習院大学、 (2009年12月11日) #14.

金子健太郎、野村太一、 福井裕、藤田静雄
``ミストCVD法による酸化物半導体薄膜の成長とその物性評価"
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会第22回(平成21年度第1回)研究会、大阪工業大学、 (2009年12月19日) A05.