papers in 2000

2000年研究発表一覧


研究論文(学術誌に掲載されたもの)

Keiichiro Sakurai, Masahiko Kanehiro, Ken Nakahara, Tetsuhiro Tanabe, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita
``Effects of oxygen plasma condition on MBE growth of ZnO"
Journal of Crystal Growth, Vol.209, Iss.2-3, pp.522-525, Feb. 2000

Keiichiro Sakurai, Masahiko Kanehiro, Ken Nakahara, Tetsuhiro Tanabe, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita ``Effects of substrate offset angles on MBE growth of ZnO"
Journal of Crystal Growth, Vol.214/215, pp.92-94, June 2000

Shigeo Yamaguchi, Hitoshi Kurusu, Yoichi Kawakami, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita
``Effect of degree of localization and confinement dimensionality of exitons on their recombination process in CdSe/ZnSe/ZnS{x}Se{1-x} single quantum well structures"
Physical Review B, Vol.61, No.15, pp.10303-10313, 2000

Mitsuru Funato, Teruki Ishido, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita
``Six-bilayer periodic structures in GaN grown on GaAs(001)"
Applied Physics Letters, Vol.76, No.3, pp.330-332, 2000

Mitsuru Funato, Teruki Ishido, Atsushi Hamaguchi, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita
``Single-phase hexagonal GaN grown on AlAs/GaAs(001)"
Applied Physics Letters, Vol.77, No.2, pp.244-246, 2000

Mitsuru Funato, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita
``Engineered interface properties in ZnSSe/GaAs heterovalent heterostructures"
Journal of Crystal Growth, 214/215, pp.590-594, 2000

Kenichi Ogata*, Keiichiro Sakurai, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita and Kazumi Matsushige* (*VBL, Kyoto Univ.)
``Effects of thermal annealing of ZnO layers grown by MBE"
Journal of Crystal Growth, 214/215, pp.312-315, 2000

Masahiro Ogawa, Mitsuru Funato, Teruki Ishido, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita
``The role of growth rates and buffer layer structures for quality imorovement of cubic GaN grown on GaAs"
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.39, No.2A, pp.69-72, 2000

Shizuo Fujita, Tadahiro Nakazawa, Mitsuru Asano and Shigeo Fujita
``Comparative study of photoluminescence dynamics of tris(8-hydroxyquinoline) aluminum-based organic multilayer structures with different types of energy lineups"
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.39, No.9A, pp.5301-5309, 2000

Keiichiro Sakurai, Takeshi Kubo, Daisuke Kajita, Tetsuhiro Tanabe*, Hidemi Takasu*, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita (*Rohm Co., Ltd.,)
``Blue photoluminescence from ZnCdO films grown by molecular beam epitaxy"
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.39, No.11B, pp.L1146-L1148, 2000

Ken-ichi Ogata*, J. John Davies**, Daniel Wolverson**, Shizuo Fujita, and Shigeo Fujita (*Venture Bussiness Laboratory, Kyoto Univ., **University of Bath)
``The Gyromagnetic Ratio of The Compensating Donor Centre in Nitrogen-Doped ZnS{x}Se{1-x}"
Semiconductor Science and Technology, Vol.15, No.2, pp.209-213, 2000


国際会議等発表

Mitsuru Funato, Teruki Ishido, Atsushi Hamaguchi, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita
``AlAs/GaAs(001) as a template for c-oriented hexagonal GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy"
10th Int. Conf. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Sapporo, Japan (2000 June 5-9)

Shizuo Fujita, Tadahiro Nakazawa and Shigeo Fujita
``Effects of doping C{60} fullerene in diamine and alminum-quinoline organic thin films on their electrical properties"
42nd Electronic Materials Conference, Denver, USA (2000 June 21-23)

Keiichiro Sakurai, Ryo Tatsumi, Takeshi Kubo, Ken Nakahara*, Tetsuhiro Tanabe*, Shizuo Fujita\ and Shigeo Fujita (*Rohm Co., Ltd.,)
``Effects of substrate offset angles on MBE growth of ZnO (II)"
42nd Electronic Materials Conference, Denver, USA (2000 June 21-23)

Atsushi Hamaguchi, Mitsuru Funato, Teruki Ishido, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita
``A Cause Determining the Crystalline Orientation of Hexagonal GaN Grown on AlAs/GaAs(001)"
Int. Workshop on Nitride Semiconductors -IWN 2000-, Nagoya, Japan (2000 September 24-27)

Keiichiro Sakurai, Takeshi Kubo, Tetsuhiro Tanabe*, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita (*Rohm Co., Ltd.,)
``Optical properties of ZnCdO films grown by plasma assisted MBE"
US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Albuquerque, USA (2000 October 30-November 2)

Kenichi Ogata*, Keigou Maejima, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita (*VBL, Kyoto Univ.)
``ZnO growth toward optical devices by MOVPE using N{2}O"
US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Albuquerque, USA (2000 October 30-November 2)

Doo-Choel Park, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita
``Growth of multifunctional polycrystalline ZnO thin films on glass"
10th Seoul Int. Symp. Physics of Semiconductors and Applications, Cheju, Korea (2000 November 1-3)


その他

Keiichiro Sakurai, Takeshi Kubo, Ken Nakahara*, Tetsuhiro Tanabe*, Shizuo Fujita and Shigeo Fujita (*Rohm Co., Ltd.,)
``MBE Growth of ZnO on Miscut a-plane Sapphire Substrates"
3rd SANKEN International Symposium, 阪大産研, (2000年3月14-15日)

櫻井啓一郎、今井大輔*、 西原隆治*、篠原 真*、中原 健**、 田辺哲弘**、藤田静雄、藤田茂夫(*島津製作所, **ローム)
``ZnOのMBE成長におけるサファイア基板オフ角の影響 (II)"
2000年春季第47回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, (2000年3月28-31日)

今井大輔*、 西原隆治*、篠原 真*、櫻井啓一郎、藤田静雄、 藤田茂夫、中原 健**、田辺哲弘**(*島津製作所, **ローム)
``ZnO(0001)エピタキシャル薄膜における1/2ユニットステップ構造の評価"
2000年春季第47回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, (2000年3月28-31日)

石堂輝樹, 浜口 敦, 船戸充, 藤田静雄, 藤田茂夫
``AlAs/GaAs(001)上への六方晶GaNの成長"
2000年春季第47回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, (2000年3月28-31日)

中澤 忠廣、橋本 潤、上坂 健一、藤田 静雄、藤田 茂夫
``C{60}を添加したAlq{3}およびTPDの特性"
2000年春季第47回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学, (2000年3月28-31日)

藤田静雄、櫻井啓一郎、藤田茂夫
``ZnO半導体のMBE成長"
日本真空協会関西支部研究会, イオン工学研究所, (2000年5月16日)

藤田静雄、中澤忠廣、橋本潤、上坂健一、藤田茂夫
``有機EL薄膜へのC{60}添加効果"
電子情報通信学会, 有機エレクトロニクス研究会, 東京, (2000年7月28日)

朴 斗哲、藤田静雄、藤田茂夫
``ガラス基板上多結晶ZnO薄膜のRFプラズマCVD成長"
2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, (2000年9月3-7日)

尾形健一*、中原健**、田辺哲弘**、高須秀視**、 岩田拡也***、ポール・フォンス***、仁木栄***、藤田静雄、藤田茂夫 (*京大VBL, **ローム, ***電総研)
``N添加ZnOの光学特性"
2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, (2000年9月3-7日)

尾形健一*、前島圭剛、藤田静雄、藤田茂夫 (*京大VBL)
``MOVPE成長ZnOの物性評価"
2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, (2000年9月3-7日)

尾形健一*、前島圭剛、藤田静雄、藤田茂夫 (*京大VBL)
``N{2}Oを用いたMOVPE法によるZnO成長"
2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, (2000年9月3-7日)

櫻井啓一郎、久保健、田辺哲弘*、藤田静雄、藤田茂夫 (*ローム)
``MBE成長ZnCdO薄膜のCdO固溶限界と物性変化"
2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, (2000年9月3-7日)

上坂健一、藤田静雄、藤田茂夫
``シリコン基板上に作製した有機EL薄膜の特性"
2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, (2000年9月3-7日)

久保健、櫻井啓一郎、藤田静雄、藤田茂夫
``MBE成長 ZnCdO の光学的評価"
2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, (2000年9月3-7日)

山本秀一郎、下上晃一郎、船戸充、藤田静雄、藤田茂夫
``AlAs中間層を用いたGaAs(11n)基板上への六方晶GaNのMOVPE成長"
2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, (2000年9月3-7日)

山本秀一郎、船戸充、藤田静雄、藤田茂夫
``GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着による GaN/Si構造作製への応用"
電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品材料研究会, 京都工芸繊維大学 (2000年10月19-20日)

藤田静雄、藤田茂夫
``ZnO系薄膜の各種作製法とその諸特性"
第41回真空に関する連合講演会, 千里ライフサイエンスセンター (2000年10月25-27日)